Gönderen Konu: Silikon-Silikon Üçlü Bağ  (Okunma sayısı 760 defa)

0 Üye ve 1 Ziyaretçi konuyu incelemekte.

Çevrimdışı lazakrep61

  • Yönetici
  • *
  • İleti: 2689
  • Rep Gücü : 608
  • Cinsiyet: Bay
  • Dünyada Ölümden Başkasi Yalan...
    • Profili Görüntüle
    • Benim Mekan
Silikon-Silikon Üçlü Bağ
« : Haziran 01, 2009, 10:50:46 ÖS »

Iste sicagi sicagina, kimyanin sinirlarini zorlayan bir makale daha. Gectigimiz ay Science dergisinde yayimlanan makalede (Science, (305) 1755, 2004) , Japon arastirma grubu (Sigekuchi ve arkadaslari) Si-Si üçlü bağ iceren, ilk kararli bilesigi sentezleyip karakterize ettiklerini bildirdiler.






Yukaridaki tepkimede görüldügü gibi, tetrabromo tetrasilan türevi bilesik, potasyum grafit ( KC8 ) varliginda THF icerisinde tepkimeye sokularak % 73 verim ile ilk kararli Si-Si üclü bag iceren ilk molekül sentezlenmistir. 100 °C ye kadar kararli olan yesil kristal yapidaki bur bilesik, havaya ve neme karsi oldukca hassas olup hemen bozunmaktadir.

Bugune kadar yapilan tüm tesebbüslerde, cok reaktif olmasi nedeniyle sürekli Si-Si üclü bag iceren bilesikler izole edilememisti.

Bagli gruplarin, ( bis(trimetil silil)metil ) kalabalik olmasi nedeniyle, Si-Si üclü bagin, termodinamik ve kinetik olarak kararli olmasi saglanmis ve Si-Si üclü bagin varligi X-isini spektroskopisi ile ispatlanmistir.







X-isini spektroskopisi ile elde edilen bu üc boyutlu yapi ile, Si-Si bag uzunlugu, 2.0622 A° olarak bulunmustur. Bu ise tipik Si=Si cift bagdan (2.14 A°) % 13.5 daha kisa. Ayrica C-C üclü bagin aksine, bu bag dogrusal olmayip, 137.44° lik bir aciya sahip oldugu hesaplanmistir.