IBM ve Georgia Tech araştırmacıları silikon-germanyum karışımı çipleri, -268.3 santigrat derecede 500 GHz güce ulaştırdı.
ABD’nin önde gelen araştırma kurumlarından Georgia Institute of Technology’de yapılan deney, silikon-germanyum (SiGe) tabanlı çiplerin veri iletim hız limitlerinin araştırılmasını amaçlıyor. IBM-Georgia Tech çipleri oda sıcaklığında 350GHz (saniyede 350 milyar döngü) güce ulaşıyor. Bu her ne kadar evlerdeki bilgisayarın çiplerinin çok üstünde bir performans olsa da SiGe çipleri asıl şaşırtıcı güce soğuk ısılarda ulaşıyorlar. Karşılaştırma yapmak için; evlerdeki bilgisayarların çipleri ortalama olarak 3.8GHz ile 1.8GHz arasında değişiyor.
SiGe çiplerinin üst limitlerini test etmek için IBM ve Georgia Tech araştırmacıları, çipin bulunduğu tüpteki ısıyı da eksi 268.3 santigrat (-459 Fahrenheit) dereceye kadar düşürdü. Mutlak Sıfır noktasına son derece yakın bu ısıya normal şartlarda sadece Güneş Sistemi’nin dış bölgelerinde rastlanıyor. Ancak bilim insanları likit helyum gibi birtakım özel maddeler kullanarak, Mutlak Sıfır noktasına yakınlaşma sağlıyor.
SiGe çipleri stardart silikon çiplere benziyor, ancak içerdikleri germanyum sayesinde daha düşük enerji tüketimiyle daha yüksek performans yakalıyor. Çipe yapılan germanyum takviyesi çiplerin katman maliyetini artırıyor. SiGe çipleri bu nedenle sadece çok yüksek performansın beklendiği ve maliyetin gözden çıkarıldığı kısıtlı pazarlarda kullanılıyor. Örneğin, Intel de bazı standart silikon çiplere germanyum takviyesi yaparak bunları güçlendiriyor.
Gelecek 10 yılda SiGe çiplerinin gelecekte 1 terahertz, saniyde 1 trilyon döngüye ulaşması bekleniyor. SiGe çiplerinin potansiyel kullanım alanları arasında savunma teknolojileri, uzay araçları ve uydular, radarlar ve süperbilgisayarlar gösteriliyor.
